FET振荡器注入锁相伏特拉级数分析

应用伏特拉级数法分析了电容耦合ＦＥＴ振荡系统在外加信号下的注入锁定现象，推导出输出信号和注入锁定带宽表达式。与一般非线性系统分析方法相比，伏特拉级数法在建立好系统模型后只需进行代数运算，从而避开了求解非线性，非齐次高阶微分方程的复杂过程。     

一种新型的微机补偿晶体振荡器及开发系统

提出了一种新型的以微处理器为核心的AT切温度补偿晶体振荡器 (MCXO)的设计思想 ,说明了其开发系统的原理 ,给出了最后的实验结果。使用该开发系统得到的这种振荡器可以工作在 - 40℃～ 85℃的环境内 ,频率—温度稳定性≤± 5× 10 - 7。     

INFLUENCE OF THE CRYSTAL GROWTHORIENTATION ON THE MICROSTRUCTUREIN HYPORAPIDSOLIDIFICATION

ＩＮＦＬＵＥＮＣＥＯＦＴＨＥＣＲＹＳＴＡＬＧＲＯＷＴＨＯＲＩＥＮＴＡＴＩＯＮＯＮＴＨＥＭＩＣＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＩＮＨＹＰＯＲＡＰＩＤＳＯＬＩＤＩＦＩＣＡＴＩＯＮＪｉａｎｇＣｈｅｎｇｂａｏ；ＨｕＨａｎｑｉ；Ｗａｎｇｐｅｉｊｕｎ；ＺｈａｎｇＨｕ（Ｂｅ...     

亚声速外流与流体振荡器射流流场干扰研究

为了探究不同外流马赫数条件下,流体振荡器出口振荡射流与外流耦合的流动特性,通过非定常仿真方法研究了流体振荡器入口条件为落压比(Nozzle pressure ratio,NPR)为1.5、3,外流马赫数分别为0、0.2、0.4、0.6、0.8时的三维瞬态流场,分析了外流对流体振荡器内部振荡特性的影响,以及流体振荡器出口振荡射流与外流相互作用时的下游空间流场特性。研究结果表明:NPR=1.5时,流体振荡器出口二喉道处均为亚声速,外流扰动会改变流体振荡器的内部振荡频率;NPR=3时,流体振荡器出口二喉道处存在声速截面,从而可有效隔离外流扰动。对于NPR=3,当外流Ma=0.2时,下游流场存在两对上下旋向相反的旋涡,上方为振荡射流所诱导的流向涡对,下方为马蹄涡对;当外流赫数大于0.4时,下游空间流场只存在一对流向旋涡,且旋涡可以有效排移截面中心处的低能流,使边界层的速度剖面更加饱满,形状因子变小;随着外流马赫数的增加,射流与外流的动量比减小,射流穿透深度减小,射流的展向影响范围也随之减小。     

2~4GHz宽带压控振荡器的研制

对振荡器的基本理论进行分析,针对宽带电路的特点提出宽带振荡电路的设计思路,并应用Ansoft Designer仿真设计一个2~4GHz宽带压控振荡器。该振荡器在常温工作状态下测得的相位噪声为-85dBc/Hz@10kHz,输出信号功率平坦度好,负载牵引小。     

压控振荡器品质因数与其相位噪声的关系

讨论了压控振荡器的相位噪声与其品质因数的关系,某实际压控振荡器的相噪测试结果验证了经理论推导的相位噪声谱的正确性。     

一种新型的通用计数器的设计

介绍一种以大规模集成电路为核心组成的通用计数器的设计。该通用计数器具有输出标准信号、测量频率、测量周期、累加计数和自校等多种功能。     

镍基单晶合金CT试样裂纹尖端应力结构及晶体滑移特性

 针对3种不同晶体取向（［001］,［011］,［111］）的镍基单晶合金DD3紧凑拉伸（CT）试样，利用考虑有限变形和晶格转动效应的率相关晶体滑移有限元程序对其裂纹尖端三维应力场进行了弹塑性模拟计算分析，深入考察了裂尖等效应力和滑移系分切应力分布以及滑移系激活规律，并对裂纹扩展路径进行了理论预测和试验研究。结果表明，裂纹尖端应力结构有较大的变化，呈现复杂的变化规律，对此试样的晶体取向有较大的影响；裂纹尖端自由表面形成具有特定矢量方向的滑移带，裂纹启裂和扩张途径与该滑移带有关，晶体学结构分析表明其特征敏感于晶体取向。裂纹尖端的等效应力、最大分切应力沿厚度方向分布均为在试样心部较为均匀，而在外表面处则下降较快，有限元计算和实验测定结果证实这两部分分别与试样断口上的纤维区和剪切唇区相对应。     

d—电子理论在单晶高温合金发展中的应用

对ｄ－电子理论在单晶高温合金发展中的应用进行了阐述。介绍了ｄ－电子理论和用此理论设计单晶高温合金的方法和过程。采用此理论对现有单晶合金进行了分析和讨论。